Présentation du produit
La série UT comprend des versions optimisées 45nS et 50nS :
* UT08 / UT10 / UT12 – Diodes de redressement haute tension -50 nS
* UT08F / UT10F / UT12F – Diodes de redressement haute tension -45 nS
Ces composants sont largement utilisés dans les modules d'alimentation haute-tension, les systèmes à rayons X-, les alimentations laser, les équipements électrostatiques et les circuits de puissance à impulsions.
Principales fonctionnalités
* Haute tension inverse : 8kV / 10kV / 12kV
* Temps de récupération ultra-rapide : 0,045 à 0,05 μs
* Faible courant de fuite inverse
* Capacité de courant de surtension élevée
* Performances stables à haute température
* Boîtier axial compact pour un montage facile sur PCB
* Adapté aux applications de commutation-haute fréquence
Caractéristiques électriques
|
Taper |
Valeurs nominales |
Temp. Condition |
Caractéristiques électriques |
Dimension |
|||||
|
VRRM |
SI(AV) |
FISM |
Tj
|
Tstg |
VFM |
IR1 |
Trr |
Φcorps * L, Φplomb |
|
|
IFM=10mA |
[VR=VRRM] |
||||||||
|
KV |
mA |
A |
degré |
degré |
V |
μA |
μS |
mm |
|
|
UT08 |
8 |
10 |
0.5 |
130 |
-40~+130 |
28 |
2 |
0.05 |
Φ2.5*6.5/Φ0.5 |
|
UT10 |
10 |
10 |
0.5 |
130 |
-40~+130 |
35 |
2 |
0.05 |
Φ2.5*10/Φ0.5 |
|
UT12 |
12 |
10 |
0.5 |
130 |
-40~+130 |
42 |
2 |
0.05 |
Φ2.5*10/Φ0.5 |
|
UT08F |
8 |
10 |
0.5 |
130 |
-40~+130 |
28 |
2 |
0.045 |
Φ2.5*6.5/Φ0.5 |
|
UT10F |
10 |
10 |
0.5 |
130 |
-40~+130 |
35 |
2 |
0.045 |
Φ2.5*10/Φ0.5 |
|
UT12F |
12 |
10 |
0.5 |
130 |
-40~+130 |
42 |
2 |
0.045 |
Φ2.5*10/Φ0.5 |
Avantages du produit
Stabilité haute tension
Conçu pour un fonctionnement à long terme-sous une tension inverse élevée jusqu'à 12 kV avec un courant de fuite minimal.
01
Performances de récupération ultra-rapides
La capacité de commutation rapide (jusqu'à 0,045 μs) réduit les pertes de commutation et améliore l'efficacité du système.
02
Faible perte et haute efficacité
La chute de tension directe optimisée garantit une génération de chaleur plus faible et une efficacité de conversion plus élevée.
03
Forte résistance aux surtensions
Avec IFSM jusqu'à 0,5 A, la diode résiste aux conditions de surtension d'impulsion dans les environnements difficiles.
04
Fiabilité industrielle
Convient pour un fonctionnement continu dans les systèmes à haute-fréquence et haute-tension.
05
Applications
* Alimentations haute tension
* Équipement à rayons X-
* Systèmes d'alimentation laser
* Précipitateur électrostatique (ESP)
* Circuits redresseurs haute-fréquence
* Systèmes d'énergie pulsée
* Équipement d'essais industriels
*Instrument médical et scientifique
Structure mécanique
* Paquet de plomb axial
* Corps encapsulé époxy
* Haute résistance d'isolation
* Personnalisation des leads disponible
* Conception compacte pour l'intégration de PCB
Options de personnalisation (OEM/ODM)
Nous prenons en charge une personnalisation complète pour les acheteurs internationaux :
* Tension inverse jusqu'à 20kV+
* Différentes exigences en matière de temps de récupération
* Personnalisation de la longueur du fil et de l'emballage
* Correspondance de série pour les modules HT
* Marquage et étiquetage (OEM)
* Emballage industriel en vrac
Pourquoi nous choisir
* Approvisionnement direct d'usine
* Capacité de production de masse stable
* Contrôle de qualité strict (testé à 100 %)
* Support d'expédition mondial rapide
* Assistance technique OEM/ODM
* Prix compétitifs pour les distributeurs
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